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所属类别：薄膜电容
商品名称：IGBT/MOSFET大功率开关电路专用电容器
商品型号：
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| ● 详细说明 |
一、特点及用途
1、 金属化聚丙烯膜卷绕，无感式结构；
2、 高频ESR极低，高dv/dt，能承受极高的脉冲电流，高耐压，具有良好的自愈能力；
3、 外观及封装形式多样，可满足客户各种要求；
4、 主要应用于IGBT/MOSFET模块突波吸收，也可用于特大电流通过的场合；
5、 适用于电源设备、变频设备、超声设备，大功率开关电路。
二、技术要求
1、引用标准： GB10190 IEC384-16
2、气候类别： 40/085/21
3、额定电压： 400V、630V、1.2KV、1.6KV、2.0KV
4、电容量范围：0.1-20µF
5、电容量偏差：H（±3%）、J（±5%），K（±10%）
6、耐电压： 1.5UR（5S）
7、绝缘电阻： CR≤0.33µF，30000MΩ
CR＞0.33µF，10000MΩ·µF (20℃,1min)
8、串联等效电阻ESR：详见技术参数表
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