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category:薄膜电容
product name:IGBT/MOSFET大功率开关电路专用电容器
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一、特点及用途
1、 金属化聚丙烯膜卷绕,无感式结构;
2、 高频ESR极低,高dv/dt,能承受极高的脉冲电流,高耐压,具有良好的自愈能力;
3、 外观及封装形式多样,可满足客户各种要求;
4、 主要应用于IGBT/MOSFET模块突波吸收,也可用于特大电流通过的场合;
5、 适用于电源设备、变频设备、超声设备,大功率开关电路。
二、技术要求
1、引用标准:  GB10190  IEC384-16
2、气候类别:  40/085/21
3、额定电压:  400V、630V、1.2KV、1.6KV、2.0KV
4、电容量范围:0.1-20µF
5、电容量偏差:H(±3%)、J(±5%),K(±10%)
6、耐电压:    1.5UR(5S)
7、绝缘电阻:  CR≤0.33µF,30000MΩ
CR>0.33µF,10000MΩ·µF (20℃,1min) 
8、串联等效电阻ESR:详见技术参数表

 CBB61交流电动机用金属化聚丙烯膜电容器 CL21金属化聚酯膜电容器


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